另外只有在國(guó)際半導(dǎo)體大賽正式結(jié)束之后。
國(guó)際半導(dǎo)體大賽舉辦方才會(huì)徹底公布所有的參賽作品。
很快，國(guó)際半導(dǎo)體大賽就正式開啟了。
也瞬間吸引了無數(shù)國(guó)家的關(guān)注。
第一輪的篩選賽好呢快就過去了。
接下來是真正死傷慘重的淘汰賽了。
這淘汰賽將會(huì)淘汰參加這次國(guó)際半導(dǎo)體比賽三分之二的參賽隊(duì)伍。
因此這也是為何大多數(shù)大型半導(dǎo)體機(jī)構(gòu)會(huì)派出這么多隊(duì)伍來參賽的原因。
因?yàn)樵谶@大浪淘金的淘汰模式中，隊(duì)伍越多無疑就是有更多的晉級(jí)希望。
另外。
所有的國(guó)家隊(duì)伍帶來的產(chǎn)品將會(huì)由三個(gè)智能機(jī)器人裁判的評(píng)級(jí)，在淘汰賽正式確立后，將國(guó)家隊(duì)伍的參賽作品和本次淘汰賽之中所有記錄的作品進(jìn)行一個(gè)數(shù)據(jù)比較和分析。
然后決定是否合適投入到淘汰賽中，合適的就直接投入到淘汰賽之中。
如果不合適，如果是數(shù)據(jù)超過太多，將會(huì)直接免過淘汰賽，晉級(jí)到倆千強(qiáng)，但是并不直接和倆千強(qiáng)的參賽作品進(jìn)行比賽。
因?yàn)檫€要將其對(duì)倆千強(qiáng)比賽作品進(jìn)行一個(gè)數(shù)據(jù)比較和綜合分析，判斷其是否合適投入到這一檔的比賽。
如果適合就直接和一眾民間半導(dǎo)體隊(duì)伍的參賽作品進(jìn)行評(píng)級(jí)。
如果不合適就代表數(shù)據(jù)和綜合分析超過當(dāng)下大部分產(chǎn)品太多。
將會(huì)無條件晉級(jí)到一千強(qiáng)。
后續(xù)的比賽將一直重復(fù)這個(gè)規(guī)則一直到六十四強(qiáng)。
因?yàn)榘凑胀甑膰?guó)際半導(dǎo)體比賽，大部分國(guó)家隊(duì)伍的參賽作品基本上到了六十四強(qiáng)就不會(huì)出現(xiàn)差距太大的產(chǎn)品了。
而這樣的規(guī)則，也極大地保證了在比賽過程中，因?yàn)閲?guó)家隊(duì)伍的產(chǎn)品和民間半導(dǎo)體產(chǎn)品差距太大而造成的不公平。
因此這也正是每個(gè)國(guó)家和機(jī)構(gòu)都無比熱衷參加這個(gè)比賽的一個(gè)重要的原因。
很快。
淘汰賽就正式開始了。
場(chǎng)外所有的參賽隊(duì)伍無不是在緊張的等待著最后的結(jié)果。
而此時(shí)內(nèi)部，三臺(tái)智能機(jī)器人正在將所有參賽的民間隊(duì)伍的作品的信息進(jìn)行匯總。
很快，他們的屏幕上就顯示了一連串某個(gè)國(guó)家的參賽作品！
“參賽國(guó)家：烏國(guó)烏半導(dǎo)體機(jī)構(gòu)?！?/p>
“參賽作品：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）?！?/p>
“已經(jīng)輸入該產(chǎn)品的研制信息，正在分析設(shè)計(jì)過程和設(shè)計(jì)板塊：”
“存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)：DRAM的存儲(chǔ)單元是其核心組成部分，設(shè)計(jì)時(shí)要考慮其微縮性和穩(wěn)定性。目前，堆疊式電容存儲(chǔ)單元已成為業(yè)界主流，特別是在70nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后。
工藝確定方面：確定DRAM的制造工藝，包括CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備、電容器的形成等。堆疊式電容存儲(chǔ)單元通常在CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之后形成，而深溝槽式電容存儲(chǔ)單元?jiǎng)t在CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之前形成。
選擇高質(zhì)量的硅基板作為DRAM的基礎(chǔ)材料。
準(zhǔn)備其他所需的材料，如用于電容器電極的TiN薄膜等。
硅基板處理：對(duì)硅基板進(jìn)行清洗、拋光等預(yù)處理，以確保其表面質(zhì)量。
CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備上，在硅基板上通過一系列工藝步驟制備CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括氧化、光刻、摻雜等。
電容器形成上，根據(jù)設(shè)計(jì)，形成電容器。對(duì)于堆疊式電容存儲(chǔ)單元，電容器在CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之后形成；對(duì)于深溝槽式電容存儲(chǔ)單元，電容器在CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之前形成。
埋藏字線及主動(dòng)區(qū)制備方面，在硅基板中埋藏字線，并在載體表面上形成主動(dòng)區(qū)。埋藏字線與主動(dòng)區(qū)相交，且在主動(dòng)區(qū)中的寬度大于在主動(dòng)區(qū)外的寬度。
其他結(jié)構(gòu)制備領(lǐng)域，根據(jù)需要，制備其他相關(guān)結(jié)構(gòu)，如傳輸管等。
對(duì)制造的DRAM進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試，包括性能測(cè)試、可靠性測(cè)試等，以確保其符合設(shè)計(jì)要求。
驗(yàn)證DRAM的讀寫速度、存儲(chǔ)容量、功耗等關(guān)鍵指標(biāo)。
首先要選擇硅晶圓，選擇高質(zhì)量的硅晶圓作為制備的起始材料，其直徑可能達(dá)到200mm或300mm。
另外濕洗上，使用各種試劑對(duì)硅晶圓進(jìn)行清洗，以確保其表面無雜質(zhì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域定義
在光刻上，使用紫外線透過蒙版照射硅晶圓，形成所需的晶體管區(qū)域圖案。
最后就是離子注入上，在硅晶圓的不同位置注入不同的雜質(zhì)，以形成N型和P型半導(dǎo)體區(qū)域。這些雜質(zhì)根據(jù)濃度和位置的不同，形成了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的關(guān)鍵部分。
柵氧化層生長(zhǎng)這一方面，在硅晶圓上生長(zhǎng)一層薄的氧化層，作為柵極和溝道之間的絕緣層。
多晶硅柵疊層形成這一領(lǐng)域，在柵氧化層上沉積多晶硅，并通過圖形化工藝形成柵極結(jié)構(gòu)?！?/p>
在三臺(tái)智能機(jī)器人其中之一的屏幕投放投影儀上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止這些內(nèi)容。
甚至還給出了這個(gè)產(chǎn)品的優(yōu)化與改進(jìn)建議！
根據(jù)測(cè)試結(jié)果，對(duì)DRAM的設(shè)計(jì)和制造過程進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，以提高其性能和穩(wěn)定性。
考慮使用更先進(jìn)的工藝技術(shù)和材料，以進(jìn)一步減小DRAM的尺寸、提高集成度。
另外在微縮化上的不足，隨著技術(shù)的進(jìn)步，DRAM的存儲(chǔ)單元尺寸不斷減小，如已經(jīng)達(dá)到的14nm工藝節(jié)點(diǎn)。這要求制造工藝和材料技術(shù)的不斷進(jìn)步。
其次是刷新機(jī)制方面。由于DRAM利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷來代表數(shù)據(jù)，因此需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)的穩(wěn)定性。這是DRAM的一個(gè)重要特性，也是其與其他存儲(chǔ)器技術(shù)的主要區(qū)別之一。
在集成度這一方面。DRAM的集成度對(duì)其性能和應(yīng)用領(lǐng)域有重要影響。通過提高集成度，可以實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)容量和更高的讀寫速度。
最后在可靠性上，DRAM的可靠性對(duì)于其應(yīng)用至關(guān)重要。因此，在研制過程中需要充分考慮各種可能的失效模式和可靠性問題，并采取相應(yīng)的措施來確保DRAM的可靠性?！?/p>
“綜合性能評(píng)分：70分”
“先進(jìn)性和未來適用性推測(cè)：50分。”
“該產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)性得分：50分?！?/p>
……
“綜合得分：55分?！?/p>
“正在分析是否擁有晉級(jí)資格！”